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SiR470DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
64
4 8
V GS = 10 thr u 4 V
10
8
6
32
16
0
V GS = 3 V
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0025
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
7500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0023
0.0021
V GS = 4.5 V
6000
4500
C iss
V GS = 10 V
0.0019
3000
0.0017
0.0015
1500
0
C rss
C oss
0
16
32
4 8
64
8 0
0
8
16
24
32
40
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V DS = 20 V
I D = 20 A
8
1.5
V GS = 10 V
6
V DS = 10 V
4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
0.9
2
0
0.6
0
21
42
63
8 4
105
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68899
S-82295-Rev. A, 22-Sep-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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